EDA/IP → 材料 → 设备 → 晶圆代工 → 封装测试 → 芯片产品 | 全上市公司图谱
⭐⭐⭐⭐⭐ = 绝对瓶颈，全球 ≤2 家 ╱ ⭐⭐⭐⭐ = 寡头壁垒，切换需 2年+ ╱ ⭐⭐⭐ = 头部集中 ╱ ⭐⭐ = 充分竞争 ╱ ⭐ = 完全可替代
芯片设计的必备工具——没有EDA就画不出芯片。Synopsys+ Cadence双寡头垄断全球~70%市场。3nm设计工具只有这两家能做, 切换成本=设计全流程重来。
芯片设计复用——不用从零开始画每个模块。ARM统治移动端99%, 每颗手机芯片都给ARM交授权费。RISC-V开源挑战ARM。
帮没设计能力的企业做芯片——AI公司、车企、IoT设备商都在定制芯片。Design Service市场快速增长。
芯片的物理地基——300mm大硅片纯度要求99.999999999%(11个9)。日本信越+SUMCO双雄垄断全球50%+。中国自给率<10%。
光刻机的墨水——没有光刻胶, EUV光刻机就是废铁。日本JSR/TOK垄断ArF/EUV光刻胶90%+。中国自给率<5%, 还在i-line/g-line徘徊。
光刻/刻蚀/沉积都离不开——每道工艺用5-10种特气/化学品。林德+液化空气+大阳日酸三巨头垄断, 但中国企业(华特/金宏)快速切入。
化学机械抛光和溅射靶材——芯片平整度的最后一道关卡。中国企业在部分环节实现突破(安集/江丰/鼎龙), 但高端产品仍依赖进口。
半导体工业皇冠上的明珠——ASML EUV光刻机单价$200M+, 年产能仅~50台, 排期到2026。没有EUV=没有7nm以下芯片。DUV也被ASML+尼康统治。
在硅片上雕刻电路——刻蚀是光刻后最关键的步骤。Lam Research+东京电子+应材三巨头。中微公司3D NAND刻蚀已达5nm水平, 是国产化最好的半导体设备。
薄膜沉积(PVD/CVD/ALD)和检测量测——每道刻蚀后必做沉积+检测。KLA在检测设备市占>50%, 近乎独占。应材/东京电子在沉积设备寡头。
全球最精密的制造——TSMC 3nm/2nm全球独步, 占全球先进制程代工~90%。三星/Intel追赶, 中芯受限7nm以下。
全能型选手——Intel/TI/ST/Infineon等自己设计自己造。IDM模式壁垒最高, 但灵活性不如Fabless+Foundry。
不需要3nm——模拟芯片用180nm/130nm/90nm成熟制程。特色工艺(BCD/GaN/SiC)是差异化壁垒, 中国企业有独特优势。
摩尔定律的续命术——TSMC CoWoS是AI芯片封装标配, 没有CoWoS就没有H100。台积电+ASE+长电三强格局, 中国长电全球#3。
打线/塑封/切筋——中国封测产业的起点, 全球产业链中最先实现规模优势的环节。长电/通富/华天三巨头全球份额~25%。
芯片出厂前必须测试——Teradyne+Advantest双寡头垄断高端ATE测试机。中国长川科技在模拟/功率测试追赶中。
芯片从晶圆厂到终端产品的流通管道。Arrow+Avnet双巨头全球分销, 中国深圳华强是中国最大电子元器件交易市场。授权代理vs现货市场。
芯片的最终归宿——苹果/华为/小米/联想每年采购芯片$100B+。设计服务/方案商帮芯片厂把芯片卖给终端客户。